Infineon IRGB4061DPBF
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Stock
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Authorized Distributors
3
4
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
36 A
40 A
Power Dissipation
206 W
166 W
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65 V
2.05 V
Reverse Recovery Time
100 ns
41 ns
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-02-28
LTD Date2019-08-31
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onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRGB4061DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole Trench ROHS3Compliant IGBT Transistor 1.95V @ 15V 18A 36A 206W 100ns
Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRGB4061DPBF Series 600 V 18 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB
600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:36A; Collector Emitter Voltage Vces:1.65V; Power Dissipation Pd:206W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:36A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:206W; Power Dissipation Pd:206W; Power Dissipation Pd:206W; Pulsed Current Icm:72A; Rise Time:25ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.65 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Max Collector Current36 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation206 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBox
Power Dissipation206 W
Reverse Recovery Time100 ns
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time105 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height9.02 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen