Infineon IRG4BC30SPBF

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
$ 1.39
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
IRG4BC30SPBF6.405
6h
RS (Formerly Allied Electronics)IRG4BC30SPBF05Bulk
23h
FarnellIRG4BC30SPBF01
1d
Mouser942-IRG4BC30SPBF801Tube
Microchip USAIRG4BC30S281600Tray
22h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRG4BC30SPBF herunter.

Newark

Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 25 Jahren

IHS

Future Electronics

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Details
InfineonIRG4BC30FDPBF
IRG4BC30FD Series 600 V 17 A N-Channel Fast CoPack IGBT - TO-220AB
Details
InfineonIRG4BC30FD1PBF
600V Fast 1-5 kHz Hard Switching Copack IGBT in a TO-220AB package >20kHz resonant mode
Details
InfineonIRG4BC30FPBF
IRG4BC30FPbF Series 600 V 17 A N-Channel Fast Speed IGBT - TO-220AB
Details
onsemiHGTP12N60C3D
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4BC30SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 390 ns Power dissipation: 100 W
Distrelec
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:34A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.6V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Newark
SINGLE IGBT, 600V, 34A; Transistor Type:; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:34A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:34A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:590ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:68A; Rise Time:18ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Augswan
Farnell
TME
TME
Newark
RS
iiiC
iiiC
element14
Distrelec
International Rectifier
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4BC30SPBF
  • IRG4BC30S
  • SP001535662