Infineon IRG4PH50SPBF

IRG4PH50S Series 1200 V 57 A N-Channel Standard Speed IGBT - TO-247AC
$ 11.43
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren
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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 11.43
$ 16.2
Stock
207,170
84,433
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
1.2 kV
Max Collector Current
57 A
57 A
Power Dissipation
200 W
200 W
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7 V
1.75 V
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-04
LTD Date2013-05-04

Verwandte Teile

InfineonAUIRG4PH50S
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
InfineonIRG4PH50UPBF
Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC
IRG4PH50KDPBF Series 1200 V 24 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
LittelfuseIXA33IF1200HB
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 58A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4PH50SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRG4PH50S Series 1200 V 57 A N-Channel Standard Speed IGBT - TO-247AC
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Transistors; INFINEON; IRG4PH50SPBF; 1.2 kV; Single; 57 A; TO-247
STANDARD SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 1.7 V Current release time: 1000 ns Power dissipation: 200 W
IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:57A; Collector Emitter Voltage Vces:1.47V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:57A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PH50S; Fall Time Max:638ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:114A; Rise Time:29ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4PH50SPBF
  • IRG4PH50S
  • IRG4PH50SPBF.
  • SP001533562