Infineon IRG4PH50S-EPBF

1200V DC-1 Khz (standard) Discrete Igbt in A TO-247AC Package W/ Exetended Lead
$ 16.2
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRG4PH50S-EPBF herunter.

Upverter

Datasheet10 SeitenVor 4 Jahren

element14 APAC

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 16.2
$ 11.17
Stock
62,925
213,420
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247-3
TO-247
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
1.2 kV
Max Collector Current
57 A
57 A
Power Dissipation
200 W
200 W
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75 V
1.7 V
Reverse Recovery Time
-
-

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-06-30
LTD Date2018-12-31

Verwandte Teile

InfineonAUIRG4PH50S
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
InfineonIRG4PH50UPBF
Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC
InfineonIRG4PH50KPBF
Transistor; IGBT; TO-247 AB; 45 A (Max.); 1200 V (Max.); 200 W (Max.); -55 degC
LittelfuseIXA33IF1200HB
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 58A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
LittelfuseIXGH20N120A3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
LittelfuseIXGH28N120B
Mid-Frequency Series - 300V - 1400V [15 - 40 kHz] PT (Punch Through) IGBTs, TO-247AD, RoHS

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4PH50S-EPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

1200V DC-1 KHZ (STANDARD) DISCRETE IGBT IN A TO-247AC PACKAGE W/ EXETENDED LEAD
IGBT, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 57A, TO247AD; DC Collector Current: 57A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.75V; Power Dissipation Pd: 200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247AD;
Transistor; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage, Vces:1200V; Continuous Collector Current, Ic:57A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.47V; Power Dissipation, Pd:200W ;RoHS Compliant: Yes
SINGLE IGBT, 18V, 57A; Transistor Type:I; SINGLE IGBT, 18V, 57A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:57A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:200W; Operating Temperature Range:-55°C to +155°C; No. of Pins:3; Continuous Collector Current Ic:57A

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4PH50SEPBF
  • IRG4PH50S-E
  • IRG4PH50S-EPBF.
  • SP001545684