Infineon IRG4PH50KDPBF
$ 17.2
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31
Verwandte Teile
InfineonIRG4PH50UDPBF
Transistor IGBT Chip Negative Channel 1.2K Volt 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
InfineonIRG4PH50UPBF
Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC
STMicroelectronicsSTGW25H120F2
STGW25H120F2 Series 1200 V 50 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4PH50KDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRG4PH50KDPBF Series 1200 V 24 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 3.5 V Current release time: 390 ns Power dissipation: 200 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:45A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):3.5V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:45A; Collector Emitter Voltage Vces:2.77V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:45A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PH50KDPBF; Fall Time Max:300ns; Fall Time tf:300ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:90A; Rise Time:100ns; Short Circuit Withstand Time Min:10µs; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.19 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current52 A
Current Rating45 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current45 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Reverse Recovery Time90 ns
Rise Time100 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time310 ns
Turn-On Delay Time61 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen