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Infineon IRG4BC30FPBF

IRG4BC30FPbF Series 600 V 17 A N-Channel Fast Speed IGBT - TO-220AB
$ 3.43
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
RS (Formerly Allied Electronics)
IRG4BC30FPBF
0
1
Bulk
USD
5,860
5,160
4,500
3,430
3,430
1d
Component Search
2
IRG4BC30F
671
25m
Win Source
2
WS-IRG4BC30FPBF
20
50
USD
1,431
0,954
0,954
25m
Worldway Electronics
IRG4BC30FPBF
9.007
7
Bulk
USD
0,770
0,755
0,726
0,712
23h
Esaler Electronic
IRG4BC30F
300
USD
1,291
1,279
1,267
1,255
1,243
14h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRG4BC30FPBF herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 26 Jahren

element14 APAC

Factory Futures

Newark

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRG4BC30SPBF
600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Details
InfineonIRG4BC30UPBF
Transistor; IGBT; TO-220AB; 23 A; 600 V (Min.); 100 W (Max.); + 20 V (Max.)
Details
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Details
InfineonIRG4BC30KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
Details
onsemiHGTP12N60C3D
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4BC30FPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRG4BC30FPbF Series 600 V 17 A N-Channel Fast Speed IGBT - TO-220AB
Future Electronics
600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Avnet
FAST SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:31A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:31A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:180ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:120A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Augswan
Farnell
TME
Conrad
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
Rochester Electronics
element14

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4BC30FPBF
  • IRG4BC30F
  • IRG4BC30FPBF.
  • SP001541932