Infineon IRG4BC30FDPBF

IRG4BC30FD Series 600 V 17 A N-Channel Fast CoPack IGBT - TO-220AB
$ 6.31
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet10 SeitenVor 16 Jahren
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-11
LTD Date2013-02-11

Verwandte Teile

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4BC30SPBF
600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4BC30FDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IRG4BC30FD Series 600 V 17 A N-Channel Fast CoPack IGBT - TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Copacked 600V IGBT in a TO-220AB package with a fast 1-8 kHz soft recovery diode, TO220COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.59 V Current release time: 160 ns Power dissipation: 100 W
FAST COPACK INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:31A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 600V, 31A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:31A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4BC30FDPBF; Fall Time Max:160ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:120A; Rise Time:26ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4BC30FDPBF
  • IRG4BC30FD
  • SP001545780