Infineon IRG4BC30UDPBF
$ 6.49
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRG4BC30KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4BC30KPBF
600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
onsemiISL9V3040P3
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4BC30UDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
N-Channel 600 V 23 A Flange Mount Ultrafast CoPack IGBT - TO-220AB
600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 180 ns Power dissipation: 100 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:23A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.1V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 600V, 23A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:23A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4BC30UDPbF; Fall Time Max:80ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:92A; Rise Time:21ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current23 A
Current Rating23 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Max Collector Current23 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation100 W
Reverse Recovery Time42 ns
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time91 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.57 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen