Infineon IRFZ46NLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.0165 Ohm; Id 53A; TO-262; Pd 107W; Vgs +/-20V
$ 0.654
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRFZ46NLPBF3.730
5h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFZ46NLPBF0700Bulk
22h
FarnellIRFZ46NLPBF01
5h
Mouser942-IRFZ46NLPBF7291Tube
Microchip USAIRFZ46NL302600Tube
23h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFZ46NLPBF
InfineonAUIRFZ46NL
Price @ 1000
$ 0.654
$ 2.37
Stock
194,272
56,950
Authorized Distributors
4
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262
TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
39 A
39 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
16.5 mΩ
16.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
107 W
Input Capacitance
1.696 nF
1.696 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

InfineonIRFZ44NLPBF
Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Details
InfineonIRFZ44ZLPBF
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
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InfineonIRFSL3806PBF
Single N-Channel 60 V 15.8 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFZ46NLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0165Ohm;ID 53A;TO-262;PD 107W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55 V 16.5 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 55V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:53A; On Resistance, Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
TME
Newark
Rochester Electronics
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFZ46NL
  • SP001557896