Infineon IRFZ44NLPBF

Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
$ 1.202
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRFZ44NLPBF600
8h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFZ44NLPBF01Bulk
1d
FarnellIRFZ44NLPBF01
8h
Microchip USAIRFZ44NL392600Tray
1d
VericalIRFZ44NLPBF600382

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet12 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 25 Jahren

IHS

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Verwandte Teile

InfineonIRFZ46NLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0165Ohm;ID 53A;TO-262;PD 107W;VGS +/-20V
Details
InfineonIRFSL3806PBF
Single N-Channel 60 V 15.8 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Details
InfineonIRFZ44ZLPBF
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFZ44NLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Future Electronics
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) | MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
Win Source
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):17.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:49A; Package / Case:TO-262; Power Dissipation Pd:110W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 49 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 17.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 45 / Rise Time ns = 60 / Turn-OFF Delay Time ns = 44 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-262 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 94
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
TME
RS
element14
Distrelec
Rochester Electronics
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFZ44NL
  • IRFZ44NLPBF.
  • SP001557836