Infineon IRFZ44ZSPBF

Name: Infineon IRFZ44ZSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFZ44ZSPBF

Hexfet® Power Mosfet ( Vdss = 55V , Rds(on) = 13.9MΩ , Id = 51A ) | Mosfet N-ch 55V 51A D2PAK

$ 1.46

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFZ44ZSPBF	0	5	Bulk		1,660	1,460	1,460	1,460	12h
Farnell	IRFZ44ZSPBF	0	1		0,940*	0,940*	0,940*	0,940*	0,940*	20h
Win Source	WS-IRFZ44ZSPBF	20	20				2,046	1,716	1,716	21h
Worldway Electronics	IRFZ44ZSPBF	16.941	7	Tube		0,513	0,497	0,471	0,471	21h
Chipsmall Limited	IRFZ44ZSPBF	600.000	1		0,849	0,566	0,340	0,283	0,283	4h

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 15 Jahren

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Newark

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iiiC

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InfineonIRFZ44ZSPBF

InfineonIRFZ44ZSTRRPBF

Price @ 1000

$ 1.46

$ 1.132

Stock

631,004

121,515

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

51 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

13.9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

80 W

Input Capacitance

1.42 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-10-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFZ44ZSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

HEXFET® Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mΩ , ID = 51A ) | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Win Source

Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 80 W

Distrelec

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature

Infineon

Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, 55V, 51A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):13.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:80W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:51A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.87°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:13.9mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:80W; Power Dissipation Pd:80W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

SP001565260

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)51 A

Current Rating51 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance13.9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time41 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.42 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation80 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance13.9 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation80 W

Rds On Max13.9 mΩ

Recovery Time35 ns

Resistance13.9 mΩ

Rise Time68 ns

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time33 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Width9.65 mm

Datenblätter und Dokumente

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