Infineon IRFSL7434PBF
$ 1.22
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
InfineonAUIRFSL8408
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFSL7440PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL7434PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 40V 195A TO262 / N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-262
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
294W(Tc) 20V 3.9V@ 250µA 324nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 1.6mΩ@ 100A,10V 195A 10.82nF@25V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.6 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation294 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time68 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time24 ns