Was ist neu: Finden Sie die richtigen Teile schneller mit unserer neu gestalteten Benutzeroberfläche

Mehr erfahren

onsemi FCI7N60

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, I2PAK
$ 1.433
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FCI7N60 herunter.

IHS

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+23.32%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FCI7N60 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-07-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3 N-Channel 650 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3 N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Single N-Channel 400 V 0.55 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3 N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FCI7N60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, I2PAK
Single N-Channel 600 V 0.6 Ohm 30 nC 83 W Silicon Through Hole Mosfet - TO-262
N-CHANNEL SUPERFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
83W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10V 1individualNChannel 600V 600mΩ@ 3.5A,10V 7A 920pF@25V I2PAK,TO-262 Through hole mounting 10.29mm*4.83mm*7.88mm
MOSFET, N CH, 600V, 7A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.53ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd