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Infineon IRFSL38N20DPBF

INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew
$ 1.79
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rochester Electronics
IRFSL38N20DPBF
5
USD
2,000
1,790
1,690
16h
Component Stockers USA
IRFSL38N20DPBF
4
USD
2,320
2,320
2,320
2,320
2,320
7d
UnikeyIC
IRFSL38N20DPBF
4
162
Cut Tape
USD
1,969
1,876
17h
Worldway Electronics
IRFSL38N20DPBF
4.872
7
Bulk
USD
0,988
0,969
0,932
0,913
16h
SHENGYU ELECTRONICS
IRFSL38N20DPBF
7.996
1
USD
0,655
0,642
0,620
0,600
0,580
22h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFSL38N20DPBF herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 10 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 24 Jahren

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Verwandte Teile

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Details
onsemiFCI7N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, I2PAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFSL38N20DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew
Fly-Wing Technology
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:44A; On Resistance, Rds(on):54mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Infineon
MOSFET, N, 200V, D2-PAK; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:200V; Current, Id cont:44A; Resistance, Rds on:54ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:D2-PAK (TO-263); Current, Id cont @ 100 degree C:32A; Current, Id cont @ 25 degree C:44A; Current, Idm pulse:180A; Power, Pd:320W; Termination Type:SMD; Transistor polarity:N; Voltage, Rds measurement:10V; Voltage, Vds:200V; Voltage, Vds max:200V; Voltage, Vgs th max:5V; Voltage, Vgs th min:3V; Rth:0.47
Farnell

Bilder

Infineon
TME
Newark
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFSL38N20D
  • SP001557568