Infineon IRFS4410TRLPBF
$ 1.61
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFS4410TRLPBF | 3.135 | 5h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS4410TRLPBF | 0 | 3200 | Bulk | 21h | |||||||
| Farnell | IRFS4410TRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Microchip USA | IRFS4410TRLPBF | 2.264 | 600 | 21h | ||||||||
| Win Source | WS-IRFS4410TRLPBF | 619 | 11 | 6h |
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Stock
249,824
144,877
Authorized Distributors
3
4
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
D2PAK
SOT
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
10 mΩ
8.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
230 W
Input Capacitance
5.15 nF
8.25 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-11-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRF1407STRLPBF
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078Ω, Id = 100A⑥) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
InfineonIRF3808SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 106A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB120NF10T4
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB80NF10T4
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET(TM) MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS4410TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 100 V 10 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 88A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 88A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.008o; Available until stocks are exhausted Alternative available
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:88A; On Resistance Rds(On):0.008Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation200 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen