Infineon IRFS41N15DPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-11-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRFS52N15DTRRP
Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 32MILLIOHMS; Id 51A; D2PAK; Pd 230W; Vgs +/-30
InfineonIRF3415SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS41N15DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150 V 45 mOhm 72 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, 150V, 41A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V; Power
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)41 A
Current Rating41 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 MΩ
Rise Time63 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage5.5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen