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Infineon IRFS4127PBF

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
$ 9.49
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
RS (Formerly Allied Electronics)
IRFS4127PBF
0
2
Bulk
USD
9,490
9,490
9,490
9,490
2h
Component Search
IRFS4127PBF
301
13h
Win Source
WS-IRFS4127PBF
87.450
60
USD
0,886
0,686
0,686
14h
Worldway Electronics
IRFS4127PBF
8.903
7
Bulk
USD
0,627
0,615
0,592
0,580
13h
Microchip USA
IRFS4127PBF
312
100
Bulk
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 17 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFS4127PBF
InfineonIRFS4127TRLPBF
Price @ 1000
$ 9.49
$ 1.596
Stock
430,062
519,895
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
72 A
72 A
Threshold Voltage
5 V
-
Rds On Max
22 mΩ
22 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
5.38 nF
5.38 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Verwandte Teile

InfineonIRFS4127TRLPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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Details
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N-channel 200 V, 0.028 Ohm typ., 75 A STripFET(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFS4127PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 200 V 22 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Eurochip Technologies LTD
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH 200V 72A D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:72A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Distrelec
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
RS
Distrelec
element14
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFS4127/PBF
  • IRFS4127PBF.
  • SP001550144