onsemi FDB110N15A

Name: onsemi FDB110N15A
Brand: onsemi
SKU: FDB110N15A

N-Channel 150 V 92 A 11 mOhm N-Channel Power Trench Mosfet - D2PAK-3

$ 2.4

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDB110N15A	800	800					2,611	2,487	1d
Newark	2	FDB110N15A	635	1	Cut Tape	0,967	0,967	0,967	0,967	0,967
Verical	3	FDB110N15A	518	6			1,151	1,115	1,078	1,078
Arrow Electronics		FDB110N15A	518	1		1,170	1,151	1,115	1,078	1,078
Rochester Electronics		FDB110N15A	20.056					2,410	2,160	2,030	21h

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Master Electronics

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-05-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB110N15A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 150 V 92 A 11 mOhm N-Channel Power Trench Mosfet - D2PAK-3

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 92A, 11mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 92A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 150V, 92A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:92A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.00925ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;

element14 APAC

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)92 A

Drain to Source Breakdown Voltage150 V

Drain to Source Resistance11 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)150 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time14 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.51 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation234 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingDigi-Reel®

Power Dissipation234 W

Rds On Max11 mΩ

Rise Time26 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time46 ns

Turn-On Delay Time25 ns

Dimensions

Height5.08 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm