Infineon IRFS3306PBF
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Obsolete
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260,808
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Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
4 V
Rds On Max
4.2 mΩ
4.2 mΩ
4.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
230 W
Input Capacitance
4.52 nF
4.52 nF
4.52 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
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STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STB140NF75T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS3306PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFS3306PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 60 V, 3-Pin DPAK
Single N-Channel 60 V 4.2 mOhm 85 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating160 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max4.2 mΩ
Recovery Time31 ns
Resistance4.2 MΩ
Rise Time46 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen