Infineon IRFR7746TRPBF
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Obsolete
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Stock
134,059
39,503
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount, Through Hole
Case/Package
TO-252-3
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
Threshold Voltage
3.7 V
3.7 V
Rds On Max
11.2 mΩ
11.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
99 W
99 W
Input Capacitance
3.107 nF
3.107 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFR7746PBF
HEXFET POWER MOSFET / N-Channel 75 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
InfineonIRFR3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 140W;VGS +/-2
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR7746TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 75 V 11.2 Ohm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 75V, 56A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 56A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0095oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.107 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation99 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11.2 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation99 W
Rds On Max11.2 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time7.9 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen