Infineon IRFR7540TRLPBF
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.656
Stock
28,257
710,930
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
90 A
90 A
Threshold Voltage
-
3.7 V
Rds On Max
4.8 mΩ
4.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
4.36 nF
4.36 nF
Verwandte Teile
InfineonIPD100N06S403ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD048N06L3GBTMA1
115W 20V 37nC@ 4.5V 1N 60V 4.8m¦¸@ 10V 6.3nF@ 30V TO-252-3 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Diodes Inc.DMTH6005LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6005LK3-13
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR7540TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 4.8 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.36 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.8 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max4.8 mΩ
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time8.7 ns
Dimensions
Height2.52 mm