Infineon IPD100N06S403ATMA2
$ 0.896
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPD100N06S403ATMA2 | 1.877 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPD100N06S403ATMA2 | 2.500 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IPD100N06S403ATMA2 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | IPD100N06S403ATMA2 | 347.623 | 15h | |||||||||
| DigiKey | 448-IPD100N06S403ATMA2CT-ND | 3.068 | 1 | Cut Tape |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD90N06S404ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2
InfineonIPD048N06L3GBTMA1
115W 20V 37nC@ 4.5V 1N 60V 4.8m¦¸@ 10V 6.3nF@ 30V TO-252-3 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
STMicroelectronicsSTD65N55LF3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPD90N06S404ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2
InfineonIPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 / N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Diodes Inc.DMTH6010LK3-13
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 / N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-3
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD100N06S403ATMA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
60V, N-Ch, 3.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 100A, 150W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested; Ultra Low RDSon; Ultra High ID | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.4 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max3.5 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height2.5 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen