Infineon IRFR7446TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR7446PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIPD50N04S4L08ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFR7446TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Single N-Channel 40 V 3.9 mOhm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 40V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +4.37%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation98 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.9 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation98 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen