Infineon IRFR4105ZTRPBF

Name: Infineon IRFR4105ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR4105ZTRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

$ 1.25

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR4105ZTRPBF	0	20	Bulk			1,320	1,250	1,250	4h
Farnell	2	IRFR4105ZTRPBF	0	1	Cut Tape	1,772*	1,772*	1,772*	1,772*	1,772*	11h
Microchip USA		IRFR4105ZTRPBF	2.255	600					1,296	1,296	1d
Component Stockers USA		IRFR4105ZTRPBF	14.109			1,080	0,800	0,610	0,440	0,440	3d
Win Source		WS-IRFR4105ZTRPBF	3.890	75				0,696	0,464	0,464	12h

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 15 Jahren

Newark

_legacy Avnet

iiiC

Future Electronics

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InfineonIRFR4105ZTRPBF

InfineonAUIRFR4105Z

Price @ 1000

$ 1.25

$ 0.524

Stock

267,149

252,339

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

30 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

24.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

48 W

Input Capacitance

740 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-08-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR4105ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Win Source

Single N-Channel 55V 24.5 mOhm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC

Infineon

MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):24.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 24.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 24 / Rise Time ns = 40 / Turn-OFF Delay Time ns = 26 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 48

Distrelec

Bilder

Infineon

Newark

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFR4105ZTRPBF.
SP001557018

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)30 A

Current Rating30 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance24.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time24 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance740 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation15 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance24.5 mΩ

Package Quantity2000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation48 W

Rds On Max24.5 mΩ

Resistance24.5 MΩ

Rise Time40 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time26 ns

Turn-On Delay Time10 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.7056 mm

Width6.22 mm

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