STMicroelectronics STD36P4LLF6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD46P4LLF6
P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
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P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -40 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
InfineonIRFR4104PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4.3Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR4104TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Diodes Inc.DMN4026SK3-13
MOSFET N-CH 40V 28A TO252 / N-Channel 40 V 28A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD36P4LLF6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package
60W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 22nC@ 4.5 V 1individualPChannel 40V 20.5mΩ@ 18A,10V 36A 2.85nF@25V TO-252 SMD mount 6.6mm*6.2mm*2.4mm
MOSFET, P-CH, -40V, -36A, 60W, TO-252; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -36A; Drain Source Voltage Vds: -40V; On Resistance Rds(on): 0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.5V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET F6 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Resistance20.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Input Capacitance2.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage40 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max20.5 mΩ
Schedule B8541290080
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