Infineon IRFR4105TRPBF

Name: Infineon IRFR4105TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR4105TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 27A; D-pak (TO-252AA); Pd 68W

$ 0.561

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFR4105TRPBF	871	1	Cut Tape	1,770	1,160	0,801	0,601	0,601
Future Electronics	2	IRFR4105TRPBF	12.000	2K	Tape & Reel					0,370
Arrow Electronics	2	IRFR4105TRPBF	656	1		1,463	0,972	0,695	0,558	0,558
DigiKey	3	IRFR4105PBFCT-ND	8.480	1	Cut Tape	2,010	1,270	0,848	0,608	0,608
Avnet		IRFR4105TRPBF	0	2K						0,334	11h

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Newark

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR4105TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 0.045 Ohm 22.7 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N-CH, 55V, 27A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 27A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 68W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFR4105 TRPBF
IRFR4105TRPBF.
SP001567638

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)20 A

Current Rating27 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance45 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time40 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance700 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation68 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance45 mΩ

Package Quantity2000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation48 W

Rds On Max45 mΩ

Rise Time49 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time31 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.7056 mm

Width6.22 mm