Infineon IRFR4104TRPBF

Single N-Channel 40V 5.5 mOhm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
$ 0.607
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIRFR4104TRPBF5.0031Cut Tape
Future Electronics
2
IRFR4104TRPBF2.0002KTape & Reel
Arrow Electronics
2
IRFR4104TRPBF4.0321
Rochester ElectronicsIRFR4104TRPBF1.923
2d
DigiKey
3
IRFR4104PBFCT-ND3.6831Cut Tape

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Offizielles DatenblattVor 11 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFR4104TRPBF
InfineonAUIRFR4104
InfineonAUIRFR4104
Price @ 1000
$ 0.607
$ 1.1
$ 1.1
Stock
578,625
234,530
234,530
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
5.5 mΩ
5.5 mΩ
5.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
2.95 nF
2.95 nF
2.95 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR4104TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 40V 5.5 mOhm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
Infineon
MOSFET, N-CH, 40V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 140W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 119 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 36 / Rise Time ns = 69 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140
Distrelec

Bilder

Infineon
Augswan
Farnell
TME
Distrelec
iiiC
Future Electronics
Newark
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001571578