Infineon IRFR3910TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.115 Ohm; Id 16A; D-pak (TO-252AA); Pd 79W
$ 0.53
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRFR3910TRPBF4.0002K
17h
Newark
2
IRFR3910TRPBF1.5865Cut Tape
Future Electronics
3
IRFR3910TRPBF242.0002KTape & Reel
Arrow Electronics
3
IRFR3910TRPBF3.0531
RutronikTMOSP123212.0002K
22h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

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InfineonIRLR3410PBF
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onsemiHUF76619D3S
18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR3910TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
IRFR3910TRPBF,MOSFET, 100V, 15 A, 115 MOHM, 29.3 NC QG, D-PA
Jameco
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:16A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:79W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR3910TRPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 16 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 115 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 27 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 6.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79
Distrelec

Bilder

Infineon
element14
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
iiiC
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR3910TRPBF.
  • SP001560674