Infineon IRFR120ZTRPBF

Single N-Channel 100V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
$ 0.348
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFR120ZTRPBF herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 15 Jahren

Newark

iiiC

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-100%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRFR120ZTRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Price @ 1000
$ 0.348
$ 0.506
$ 0.506
Stock
453,607
97,768
97,768
Authorized Distributors
3
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
8.7 A
8.7 A
8.7 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
190 mΩ
190 mΩ
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
35 W
35 W
35 W
Input Capacitance
310 pF
310 pF
310 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRFR120ZPBF
Single N-Channel 100 V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
InfineonAUIRFR120Z
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 6.8A, 160mΩ
Diodes Inc.DMP10H400SK3-13
Single P-Channel 100 V 300 mOhm 8.4 nC 42 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN TO-252AA

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR120ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 100V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Surface Mount
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Lighting LED
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:8.7A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:35W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR120ZTRPBF.
  • SP001554998