Infineon AUIRFR120Z
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Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRFR120Z | 4.974 | 17h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRFR120Z | 0 | 3K | Bulk | 10h | |||||||
| Farnell | AUIRFR120Z | 0 | 5 | 3h | ||||||||
| Verical | AUIRFR120Z | 2.360 | 493 | |||||||||
| Win Source | WS-AUIRFR120Z | 17.000 | 115 | 18h |
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$ 0.348
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Stock
82,082
447,204
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Authorized Distributors
3
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
8.7 A
8.7 A
8.7 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
190 mΩ
190 mΩ
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
35 W
35 W
35 W
Input Capacitance
310 pF
310 pF
310 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-06-15
LTD Date2019-12-15
Verwandte Teile
onsemiSFT1443-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR120Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 190 mOhm Auto Grade Power MosFet - TO-252-3
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET,W DIODE,N CH,100V,8.7A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance310 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation35 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time26 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time8.3 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen