Infineon IRFP90N20DPBF

Name: Infineon IRFP90N20DPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFP90N20DPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.023 Ohm; Id 94A; TO-247AC; Pd 580W; Vgs +/-30V

$ 2.976

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRFP90N20DPBF	1.961	25				2,781	2,482	2,482	4h
Newark		IRFP90N20DPBF	1.262	1		7,850	5,050	4,380	4,330	4,330
Arrow Electronics		IRFP90N20DPBF	459	1		2,226	2,226	2,226	2,226	2,226
Future Electronics	2	IRFP90N20DPBF	402	25	Tube			3,100	3,030	2,970
Rochester Electronics		IRFP90N20DPBF	398					2,890	2,580	2,430	2h

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 21 Jahren

Datasheet9 SeitenVor 24 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-08-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-12-28

LTD Date2013-06-28

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFP90N20DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 0.023ohm; 580W; -55+175 deg.C; THT; TO247AC

Maritex

Transistor MOSFET N Channel 200 Volt 94 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-247AC

Jameco

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 580 W

Distrelec

Single N-Channel 200 V 0.023 Ohm 270 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC

Future Electronics

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

Semicontronic

N Channel Mosfet, 200V, 94A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:94A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP90N20DPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, N, 200V, 94A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:94A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:580W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:94A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.26°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:23mohm; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:580W; Power Dissipation Pd:580W; Pulse Current Idm:380A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Bilder

LZChips

iiiC

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFP 90N20DPBF
IRFP90N20D
IRFP90N20DPBF.
SP001552070

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-247-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)90 A

Current Rating94 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance23 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Dual Supply Voltage200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time79 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance6.04 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation580 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance23 mΩ

Package Quantity400

PackagingBulk

Power Dissipation580 W

Rds On Max23 mΩ

Recovery Time340 ns

Resistance23 mΩ

Rise Time160 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time43 ns

Turn-On Delay Time23 ns

Voltage Rating (DC)200 V

Dimensions

Height20.3 mm

Length15.875 mm

Width5.3 mm

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