Infineon IRFP4321PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Verwandte Teile
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
InfineonIRFP4229PBF
MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP4321PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFP4321PBF N-channel MOSFET Transistor, 78 A, 150 V, 3-Pin TO-247AC
MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 150 V 15.5 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 150V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, 150V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:78A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:310mW; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:4321; Current Id Max:78A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:310mW; Pulse Current Idm:330A; SMD Marking:310; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current78 A
Current Rating78 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance15.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15.5 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation310 W
Rds On Max15.5 mΩ
Recovery Time130 ns
Resistance15.5 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage30 V
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen