Infineon IRFP4668PBF
$ 2.505
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -16.20%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFP4668PBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRFP4668PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFP90N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP4668PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRFP4668PBF N-channel MOSFET Transistor, 130 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC
Single N-Channel 200 V 9.7 mOhm 161 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Through Hole
N CHANNEL MOSFET, 200V, 130A, TO-247AC;; N CHANNEL MOSFET, 200V, 130A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Re; Available until stocks are exhausted
N Channel Mosfet, 200V, 130A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:130A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:30V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP4668PBF.
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, 200V 130A TO-247AC; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:200V; Cont Current Id:130A; On State Resistance:8mohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Typ Voltage Vgs th:5V; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to + 175°C; Max Voltage Vds:200V; Power Dissipation:520W; Pulse Current Idm:520A; Transistor Case Style:TO-247AC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 130 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 8 / Gate-Source Voltage V = 30 / Fall Time ns = 74 / Rise Time ns = 105 / Turn-OFF Delay Time ns = 64 / Turn-ON Delay Time ns = 41 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247AC / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 520
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -16.20%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)130 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance9.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time74 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance10.72 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation520 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9.7 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation520 W
Rds On Max9.7 mΩ
Resistance9.7 MΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time41 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFP4668PBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen