Infineon IRFP4127PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRFP90N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP4127PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 200 V 21 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
200V Discrete HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free TO-247AC Package, TUBE
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 200V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N-CH, 200V, 75A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.017ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 75 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 17 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 56 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 341
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.38 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation341 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance21 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation341 W
Rds On Max21 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Datenblätter und Dokumente
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