Infineon IRFI4228PBF
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Stock
91,324
420,045
Authorized Distributors
3
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
34 A
34 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
46 W
46 W
Input Capacitance
4.56 nF
4.44 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak package, TO-220-3 FP, RoHS
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150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso), FULLPAK220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFI4228PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
150V Single N-Channel PDP Switch HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Full-Pak package
Single N-Channel 150 V 16 mOhm 73 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 150V, 34A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 34A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.0122ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; P
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Current Rating34 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance16 mΩ
Package Quantity2000
Power Dissipation46 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance16 MΩ
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.6172 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen