Infineon IRFIB41N15DPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
Verwandte Teile
InfineonIRFI4321PBF
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak package, TO-220-3 FP, RoHS
InfineonIRFI4228PBF
150V Single N-Channel PDP Switch HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Full-Pak package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFIB41N15DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso), FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 150 V 45 mOhm 72 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.14°C/W; Voltage, Vds Max:150V
N CH MOSFET, 150V, 41A, TO-220FP; Transi; N CH MOSFET, 150V, 41A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)41 A
Current Rating41 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity2000
PackagingBulk
Power Dissipation48 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time63 ns
Threshold Voltage5.5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.6172 mm
Width4.826 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen