Infineon IRFHS8342TRPBF

Name: Infineon IRFHS8342TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFHS8342TRPBF

INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	3	IRFHS8342TRPBF	0	5	Cut Tape		0,693*	0,491*	0,198*	0,194*	1d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRFHS8342TRPBF	3.900	1	Tape & Reel	1,352	1,352	1,352	1,352	1,352	3h
Win Source		WS-IRFHS8342TRPBF	97.010	20				2,052	1,721	1,721	2h
Worldway Electronics		IRFHS8342TRPBF	12.343	7	Tape & Reel		0,345	0,329	0,329	0,329	1d
ICPartonline		IRFHS8342TRPBF	31.740			0,206	0,196	0,186	0,175	0,165	>1wk

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

element14 APAC

Farnell

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-11-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFHS8342TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew

Jak Electronics

Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package, PG-TSDSON-6, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 19 A, 16 Milliohms, PQFN, 6 Pins, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: PQFN-6 (2x2) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2.1 W

Distrelec

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

N CH MOSFET, 30V, 8.8A, 6-PQFN; Transist; N CH MOSFET, 30V, 8.8A, 6-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:6

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Bilder

International Rectifier

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFHS8342
IRFHS8342TRPBF.
SP001556608

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageVQFN

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)8.8 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance16 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance600 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.1 W

Manufacturer Package IdentifierPG-TSDSON-6

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.8 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance16 mΩ

Package Quantity4000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.1 W

Rds On Max16 mΩ

Resistance16 MΩ

Rise Time15 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.8 V

Turn-Off Delay Time5.2 ns

Turn-On Delay Time5.9 ns

Dimensions

Height1 mm