Infineon IRFHM4234TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2016-12-02
LTD Date2017-09-02
Verwandte Teile
InfineonIRFH4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFHM4231TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
VishaySI4166DY-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRFHM8326TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFHM4234TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Low Thermal Resistance to PCB (less than 4.4C/W); Low Profile (less than 0.9 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Very Low Gate Charge; Low Junction to PCB Thermal Resistance; Qualified Industrial; Qualified MSL1; FastIRFET | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; MultiPhase ControlFET; Point of Load ControlFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance7.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.011 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max4.4 mΩ
Resistance4.4 MΩ
Rise Time30 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Dimensions
Height900 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen