Infineon IRFHM8326TRPBF
$ 0.224
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFHM8326TRPBF | 1.512 | 21h | |||||||||
| Farnell | IRFHM8326TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 21h | |||||||
| Verical | IRFHM8326TRPBF | 1.512 | 1340 | |||||||||
| Win Source | WS-IRFHM8326TRPBF | 37.500 | 160 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFHM8326TRPBF | 10.755 | 7 | Tape & Reel | 21h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-03-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFH4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySIS472DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFHM8326TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 4.7 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.4C/W); Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; Point of Load ControlFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.496 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation37 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen