Infineon IRFB4115PBF
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Authorized Distributors
6
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
104 A
104 A
Threshold Voltage
5 V
-
Rds On Max
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
380 W
380 W
Input Capacitance
5.27 nF
5.27 nF
Lieferkette
Country of OriginTaiwan, USA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB4115PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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N Channel Mosfet, 150V, 104A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:104A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFB4115PBF.
MOSFET, N-CH 150V 104A TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:104A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)104 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation380 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time73 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen