Infineon IRFB3207PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 3.6MILLIOHMS; Id 180A; TO-220AB; Pd 330W; -55DE
$ 1.349
NRND
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Jameco

Datasheet12 SeitenVor 20 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Newark

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.349
$ 1.45
Stock
957,319
50,256
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
4.5 mΩ
4.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
7.6 nF
7.6 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-17
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRFB3207ZPBF
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InfineonIRFB3077PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 2.8Milliohms;ID 210A;TO-220AB;PD 370W;-55de
NexperiaPSMN3R5-80PS
120 A 80 V 0.0035 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFB3207PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3.6Milliohms;ID 180A;TO-220AB;PD 330W;-55de
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,180A I(D),TO-220AB
Transistor MOSFET N-Channel 75V 170A 330W Through Hole TO-220AB
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 260 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N, 75V, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:330W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:720A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 75 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 74 / Rise Time ns = 120 / Turn-OFF Delay Time ns = 68 / Turn-ON Delay Time ns = 29 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 300

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFB3207
  • IRFB3207 PBF
  • IRFB3207PBF.
  • SP001572410