Infineon AUIRFB3207
$ 1.45
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRFB3207 herunter.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.45
$ 1.349
Stock
52,762
957,704
Authorized Distributors
3
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
4.5 mΩ
4.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
7.6 nF
7.6 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-02-28
LTD Date2018-08-31
Verwandte Teile
onsemiFDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F / Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
InfineonIPA032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 84 A, 2.6 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
STMicroelectronicsSTP141NF55
Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFB3207, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Trans MOSFET N-CH 75V 170A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET,N CH,75V,75A,TO220AB; Continuous Drain Current Id:170A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time74 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time120 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.66 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon AUIRFB3207 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen