Infineon IRF9362TRPBF
$ 0.37
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -48.22%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9362TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 30 V 21 mOhm 13 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -8A, SOIC; Tran; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -8A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Dual P-Channel MOSFET; Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application | Target Applications: Battery Protection
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -48.22%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time53 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance21 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max21 mΩ
Resistance21 MΩ
Rise Time5.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen