Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRF9332TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 16h | |||||||
| Component Stockers USA | IRF9332TRPBF | 17 | >1wk | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF9332TRPBF | 16.000 | 1 | Tape & Reel | 18h | |||||||
| Win Source | WS-IRF9332TRPBF | 7.520 | 3 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF9332TRPBF. | 19.400 | 7 | Tape & Reel | 17h |
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRF7424TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 13.5 Milliohms;ID -11A;SO-8;PD 2.5W;gFS 17S
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9332TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; P-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, P-CH, -30V, -9.8A, SOIC-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -9.8A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.0136; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance17.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance17.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max17.5 mΩ
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen