Infineon IRF9358TRPBF
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Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRF9358TRPBF | 3.202 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9358TRPBF | 0 | 10 | Bulk | 5h | |||||||
| Avnet | IRF9358TRPBF | 0 | 4K | 15h | ||||||||
| Future Electronics | IRF9358TRPBF | 0 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Farnell | IRF9358TRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 11h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.549
$ 1.14
Stock
614,423
187,720
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
9.2 A
9.2 A
Threshold Voltage
-1.8 V
-
Rds On Max
16.3 mΩ
16.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
1.74 nF
1.74 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9358TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual P-Channel 30 V 23.8 mOhm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET P-Ch MOSFET 9.2A 30V SOIC8
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
MOSFETs; IRF9358TRPBF; INFINEON TECHNOLOGIES; -30 V; 9.2 A; 20 V; 2 W
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application
Target Applications: Battery Protection
Infineon NMOS, Vds=30 V, 9.2 A, SO-8
DUAL P CH, -30V, -9.2A, SOIC-8; Transist; DUAL P CH, -30V, -9.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-9.2A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance16.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.74 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance16.3 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max16.3 mΩ
Rise Time7.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time146 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen