Infineon IRF9332PBF
Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 19 Jahren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIRF7424TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 13.5 Milliohms;ID -11A;SO-8;PD 2.5W;gFS 17S
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9332PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TUBE / MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -9.8A, 17.5 mOhm, -4.5V capable, SO-8
Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N Tube
MOSFET P-Channel 30V 9.8A HEXFET SOIC8
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; P-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,P CH,DIODE,30V,9.8A,SO8; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):13600µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-9.8A; Power Dissipation Pd:2.5W; Voltage Vgs Max:-20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance17.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance17.5 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max17.5 mΩ
Recovery Time54 ns
Rise Time47 ns
Threshold Voltage-1.9 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen