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Infineon IRF7907PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; ID 9.1 A (Control FET), 11 A (Synchronous FET); SO-8
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF7907PBF
0
3800
Bulk
USD
1,313
21h
Win Source
WS-IRF7907PBF
4.406
150
USD
0,258
0,224
8h
Worldway Electronics
IRF7907PBF
3.408
7
Bulk
USD
0,196
0,192
0,185
0,181
7h
ICPartonline
IRF7907PBF
13.905
USD
0,494
0,469
0,444
0,419
0,395
>1wk
Anlinkda
IRF7907PBF
73.338
USD
0,288
0,258
0,216
0,216
0,206
1d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7907PBF herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 17 Jahren

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

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onsemiFDS6690A
N-Channel Power Trench® MOSFET, Logic Level, 30V, 11A, 12.5mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7907PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;ID 9.1 A (Control FET), 11 A (Synchronous FET);SO-8
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
Avnet
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0118ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Low Thermal resistance to PCB; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Very Low Gate Charge; Dual N-Channel MOSFET
Infineon
MOSFET, NN; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:11.8mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:9.1A; Current, Id Cont N Channel 3:11A; Resistance, Rds on N Channel 1:13.7ohm; Resistance, Rds on N Channel 2:9.8ohm
Farnell
MOSFET,NN CH,30V,9.1A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):9.8mohm; Power Dissipation Pd:2W
element14 APAC

Bilder

Infineon
element14
DKO Electronshik
TME
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
Farnell
International Rectifier
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 7907PBF
  • IRF7907 PBF
  • IRF7907PBF.
  • SP001572250