Infineon IRF7815PBF
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.79
Stock
64,486
846,860
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
5.1 A
5.1 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
43 mΩ
43 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.647 nF
1.647 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
VishaySI7846DP-T1-E3
Single N-Channel 150 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF7815PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 150V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,W DIODE,N CH,150V,5.1A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance43 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.647 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance43 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max43 mΩ
Recovery Time62 ns
Rise Time3.2 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time8.4 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen