onsemi FDS86252

FDS86252 Series 150 V 4.5 A 55 mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET - SOIC-8
$ 0.572
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDS86252 herunter.

Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-18.30%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FDS86252 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

onsemiFDS86242
Single N-Channel 150 V 2.5 W 13 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS2572
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET 150V, 4.9A, 47mΩ
InfineonIRF7815PBF
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor
onsemiFDS2582
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 4.1A, 66mΩ
STMicroelectronicsSTS5N15F4
N-channel 150 V, 0.057 Ohm, 5 A, SO-8 STripFET(TM) DeepGATE(TM) Power MOSFET
InfineonIRF6217TRPBF
Single P-Channel 150 V 2.4 Ohm 9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDS86252, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

FDS86252 Series 150 V 4.5 A 55 mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET - SOIC-8
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 4.5A, 55mΩ
Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, N CH, 150V, 4.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.4V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:20A
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintaiin superior switching performance.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDS86252.