Infineon IRF7807ZTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 11 Milliohms; Id 11A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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TME

Datasheet10 SeitenVor 19 Jahren

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

InfineonIRF8707TRPBF
IRF8707TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
InfineonSI4410DYPBF
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
InfineonIRF9393TRPBF
Single P-Channel 30 V 13.3 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
1.45W(Ta) 25V 3V@ 250¦ÌA 20.5nC@ 10 V 1P 30V 11m¦¸@ 12A,20V 9.9A 2.246nF@15V SOIC-8 1.75mm

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7807ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):18.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.8 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.1 / Rise Time ns = 6.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 6.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF7807ZTRPBF.
  • SP001570494